Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0401U001900, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 15-06-2001 Статус Запланована Назва роботи Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію Здобувач Стрільчук Оксана Миколаївна, Керівник Глинчук К.Д. Опонент Корбутяк Д.В. Опонент Брайловський Є.Ю. Опонент Гнатенко Ю.П. Опис Випромінювальна рекомбінація нерівноважних носії струму на дефектних станах, зумовлених залишковими домішками та дефектами гратки у напівізолююлюючому спеціально нелегованому GaAs. Мета - виявлення взаємодії дефектних станів між собою і з екситонами, та з'ясування дії на них термообробки по особливостям перебігу випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв струму в напівізолюючому GaAs. Метод - дослідження спектрів фотолюмінесції кристалів з різним вмістом залишкових домішок у широкому температурному діапазоні при різних рівнях збудження. Встановлена значна взаємодія домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами. Визначена роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Доведено, що смуга випромінювання з положенням максимуму 1.5133 еВ зумовлена випромінювальною рекомбінацію зв'язаного на іонізованому донорі екситона. Встановлено вплив термообробки при 900 С протягом 20-90 хв на домішковий склад досліджуваних зразків, зокрема, підвищення концентрації акцепторів і нем онотонну зміну концентрації донорів. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs. Дата реєстрації 2001-06-15 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити