Registration Number
2124U012452, Article
popup.category
Стаття, Опубліковано
Title
Variations in electrophysical properties of heavily doped single crystals of n-Ge 〈As〉 under the effect of thermal annealings
popup.author
Гайдар Г.П.
Haidar H.P.
popup.publication
15-05-2024
popup.source_user
Видавничий дім "Академперіодика"
popup.source
https://nasu-periodicals.org.ua/index.php/dp/article/view/2804
popup.publisher
PH “Akademperiodyka”
Description
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського.
popup.nrat_date
2026-05-25