Знайдено документів: 8
Керівник: Венгер Євген Федорович. Розроблення та впровадження напівпровідникових сенсорів температури в діапазоні 0,3 - 450 К. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U000567
Керівник: Мітін В.Ф.. Нові резистивні термометри для вимірювання температури у сильних магнітних полях. (Етап: ). Товариство з обмеженою відповідальністю "Мікросенсор". № 0207U002617
Керівник: Мітін В.Ф.. Нові резистивні термометри для вимірювання температури у сильних магнітних полях. Товариство з обмеженою відповідальністю "Мікросенсор". № 0107U000651
Керівник: Мітін В.Ф.. Розробка нових конструкцій і технології виготовлення тонкоплівкових сенсорів температури і магнітного поля, а також методів і методик вимірювання температури в магнітному полі.. (Етап: Розробка нових конструкцій і технології виготовлення тонкоплівкових сенсорів температури і магнітного поля, а також методів і методик вимірювання температури в магнітному полі.). Товариство з обмеженою відповідальністю "Мікросенсор". № 0302U001798
Керівник: Мітін В.Ф.. Розробка експериментальних зразків мікротермометрів і багатофункціональних сенсорів для використання в кріогенній техніці і фізиці низьких температур.. (Етап: Розробка експериментальних зразків мікротермометрів і багатофункціонаьльних сенсорів для використання в кріогенній техніці і фізиці низьких температур.). Товариство з обмеженою відповідальністю "Мікросенсор". № 0302U001797
Керівник: Мітін В.Ф.. Розробка нових конструкцій та технології виготовлення тонкоплівкових сенсорів температури і магнітного поля, а також методів і методик вимірювання температури в магнітному полі.. Товариство з обмеженою відповідальністю "Мікросенсор". № 0102U002889
Керівник: Мітін В.Ф.. Розробка експериментальних зразків мікротермометрів і багатофункціональних сенсорів для використання в крiогенній техніці та фізиці низьких температур. Товариство з обмеженою відповідальністю "Мікросенсор". № 0102U002888
Керівник: Мітін В.Ф.. Дослідження властивостей та службових характеристик покриттів, одержаних з використанням планарного джерела плазми.. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0100U004377
Знайдено документів: 8

Оновлено: 2026-11-03