Пошук академічних текстів

Керівник: Саріков Андрій Вікторович. Гетероепітаксія методом MOCVD та аналіз дефектів у плівках Ga2O3 для передової сенсорики в діапазоні далекого УФ-випромінювання. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0126U004633

Керівник: Скришевський Валерій Антонович. Багатошарові структури з пластин скла та люмінесцентних шарів органічних полімерних сполук з вуглецевими та напівпровідниковими включеннями для фотоелектричних перетворювачів систем "розумне вікно". Державна організація "Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України". № 0126U003054

Керівник: Саріков Андрій Вікторович. Багатошарові структури з гетеропереходами з органичним полімерним напівпровідником та тиловими рефлекторами на основі кремнієвих фотонних кристалів для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. (Етап: Розробка технології виготовлення фотоелектричних перетворювачів з гетеропереходами з органічними шарами та тиловими рефлекторами на основі фотонних кристалів. Підготовка матеріалів для публікації Дослідження характеристик виготовлених фотоперетворювачів та оптимізація технології їх отримання. Підготовка матеріалів для публікації.). Державна організація "Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України". № 0226U000989

Кульбачинський Олександр Анатолійович. Сенсорні структури і матеріали для детектування випромінювання інфрачервоного діапазону спектру : Доктор філософії : спец.. 105 - Прикладна фізика та наноматеріали : дата захисту 2025-10-01; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. – Київ, 0825U003317.

Керівник: Саріков Андрій Вікторович. Багатошарові структури з гетеропереходами з органичним полімерним напівпровідником та тиловими рефлекторами на основі кремнієвих фотонних кристалів для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. (Етап: Розробка технології отримання тонких плівок органічних напівпровідників (меланінів) та речовини поглинаючих шарів (PEDOT:PSS). Підготовка матеріалів для публікації Розробка технології отримання фотонних кристалів на основі кремнію. Підготовка матеріалів для публікації.). Державна організація "Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України". № 0225U000455

Керівник: Саріков Андрій Вікторович. Багатошарові структури з гетеропереходами з органичним полімерним напівпровідником та тиловими рефлекторами на основі кремнієвих фотонних кристалів для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Державна організація "Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України". № 0124U002141

Керівник: Мельник Віктор Павлович. Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки. (Етап: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0224U002739

Саріков Андрій Вікторович. Структурно-фазові перетворення при формуванні плівок і нанокомпозитів на основі Si та 3C-SiC : Доктор фізико-математичних наук : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2021-09-22; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. – Київ, 0521U101946.

Керівник: Мачулін Володимир Федорович. Розробка наукових основ технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра з використанням методу Чохральського та термообробок, які керують станом атомів кисню в кристалічній гратці. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U007147

Керівник: Євтух Анатолій Антонович. Дослідження та розробка іонно-плазмових технологій формування кремнієвих нанокомпозитів при введенні домішок стимулюючих процеси самореалізації. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U005244