Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0225U000455, (0124U002141) , Науково-дослідна робота Назва роботи Багатошарові структури з гетеропереходами з органичним полімерним напівпровідником та тиловими рефлекторами на основі кремнієвих фотонних кристалів для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії Назва етапу роботи Розробка технології отримання тонких плівок органічних напівпровідників (меланінів) та речовини поглинаючих шарів (PEDOT:PSS). Підготовка матеріалів для публікації Розробка технології отримання фотонних кристалів на основі кремнію. Підготовка матеріалів для публікації. Керівник роботи Саріков Андрій Вікторович, Доктор фізико-математичних наукСкришевський Валерій Антонович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 12-01-2025 Організація виконавець Державна організація "Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України" Опис роботи Розробка гібридного фотоперетворювача на основі гетеропереходів органічних та полімерних сполук з тиловим рефлектором на основі пористого фотонного кристалу. Фотоперетворювачі на основі органічних напівпровідників є дешевою альтернативою традиційним кремнієвим сонячним елементам (СЕ), і їх виробництво вимагає досліджень з покращення їх ефективності, збільшення часу життя та зменшенні вартості. В даній роботі буде зроблено дослідження нових перспективних органічних напівпровідникових матеріалів з сімейства меланін як активного шару СЕ і вперше розглянуто використання поруватих фотонних кристалів (ПФК) як керованих тилових рефлекторів для підвищення ефективності органічних СЕ. В роботі ПФК будуть функціоналізовані наночастинками і полімером для забезпечення спектрального відгуку в заданому спектральному діапазоні і отримання необхідних механічних властивостей. Опис етапу  У ході виконання першого етапу науково-дослідної роботи розроблено технологію отримання тонких плівок меланінів для вивчення можливості їх використання як активного шару фотоперетворювачів. В основі цієї технології лежить процес самоорганізованої полімеризації плівки при природному висиханні водного розчину меланіну, нанесеного на підкладинку. Досліджено оптичні та електричні параметри виготовлених плівок. Показано, що плівки меланіну мають характеристики прозорого низькопровідного полімеру зі стабільними в часі електричними характеристиками, непрямі дозволені оптичні переходи з оптичною шириною забороненої зони Eg = 1.7 еВ та енергією фононів ħω = 0.185 еВ. Аналіз інфрачервоних спектрів пропускання свідчить про наявність значної кількості ОН-груп у плівках, що вказує на їхню гідрофільність, а також sp³ та sp² гібридизованих зв'язків CHn, які можуть мати істотний вплив на електропровідність плівок. Висунуто гіпотезу, що підвищення концентрації sp² відносно концентрації sp³ гібридизованих CHn зв'язків може підвищувати провідність плівок за рахунок посилення делокалізації π-електронів. Визначено, що технологія вакуумного напилення дозволяє виготовлення провідних прозорих плівок ZnO з поверхневим питомим опором 6.6..100 Ом×см, що є достатнім для створення провідної контактної системи. Обрано технологію спінкоатінгу нанесення плівок PEDOT:PSS для виготовлення поглинаючих шарів фотоелектричних перетворювачів. Розроблено технологію отримання прозорих провідних плівок полівініл-бутиралю шляхом додавання суперіонних речовин. Опис продукції Автори роботи Іванов Іван Іванович Лисенко Артемій ..... Семененко Микола Олександрович Шаган Сергій Васильович Додано в НРАТ 2025-01-12 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Саріков Андрій Вікторович. Багатошарові структури з гетеропереходами з органичним полімерним напівпровідником та тиловими рефлекторами на основі кремнієвих фотонних кристалів для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. (Етап: Розробка технології отримання тонких плівок органічних напівпровідників (меланінів) та речовини поглинаючих шарів (PEDOT:PSS). Підготовка матеріалів для публікації Розробка технології отримання фотонних кристалів на основі кремнію. Підготовка матеріалів для публікації.). Державна організація "Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України". № 0225U000455
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16