Пошук академічних текстів

Керівник: Стрельчук Віктор Васильович. Розробка вимог до виготовлення напівпровідникових монокристалічних алмазних пластин розмірами до 6–10 мм та товщиною 0,5–1 мм з епітаксійними шарами легованого бором CVD-алмазу, призначених для використання в якості функціональних елементів діодів Шотткі, включно з визначенням геометричних параметрів, рівня легування, вимог до якості поверхні, електрофізичних характеристик та умов формування омічних та бар’єрних контактів.. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0126U004403

Хорт Павло Сергійович. Плазмонне підсилення оптичних властивостей гібридних наносистем “полімер – наночастинки металу – флюорофор” : Доктор філософії : спец.. 104 - Фізика та астрономія : дата захисту 2026-06-10; Статус: Наказ про видачу диплома; Київський національний університет імені Тараса Шевченка. – Київ, 0826U001918.

Раллєв Максим Віталійович. Ефекти та механізми підсилення оптичних переходів молекул тиміну та гліцину на комбінованих наноструктурах Fe3O4 допованих благородними металами. : Доктор філософії : спец.. 104 - Фізика та астрономія : дата захисту 2026-06-30; Статус: Наказ про видачу диплома; Інститут фізики Національної академії наук України. – Київ, 0826U001839.

Керівник: Стрельчук Віктор Васильович. Розробка вимог до виготовлення напівпровідникових монокристалічних алмазних пластин розмірами до 6–10 мм та товщиною 0,5–1 мм з епітаксійними шарами легованого бором CVD-алмазу, призначених для використання в якості функціональних елементів діодів Шотткі, включно з визначенням геометричних параметрів, рівня легування, вимог до якості поверхні, електрофізичних характеристик та умов формування омічних та бар’єрних контактів.. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0126U003514

Керівник: Стрельчук Віктор Васильович. Закономірності HPHT-кристалізації та фізичні механізми формування електронних властивостей монокристалів алмазу, легованих бором і азотом з граничними концентраціями. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0126U003507

Керівник: Солонін Юрій Михайлович. Нанокомпозитний антифрикційний матеріал на основі фторопласту. (Етап: Обгрунтування шляхів виконання завдань проекту та проведення експериментальних робіт.). Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України. № 0226U002305

Керівник: Романюк Борис Миколайович. Виготовлення і постачання 6-елементних фоточутливих кристалів ВОЗ.124.0302.012-01. (Етап: Виготовлення, комплексні випробування та поставка 6-ти елементних фоточутливих кристалів ВОЗ.124.0302.012-01). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U004519

Керівник: Романюк Борис Миколайович. Виготовлення і постачання 6-елементних фоточутливих кристалів ВОЗ.124.0302.012-01. (Етап: Виготовлення 6-ти елементних фоточутливих кристалів ВОЗ.124.0302.012-01 у кількості 50шт.). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U004493

Керівник: Євтушенко Арсеній Іванович. Розробка фотокаталiтичних нанокомпозитів для інактивації вірусів у повітрі. (Етап: Розробка фотокаталiтичних нанокомпозитів для інактивації вірусів у повітрі). Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України. № 0225U002378

Керівник: Євтушенко Арсеній Іванович. Оптичні, магнітні та термоелектричні властивості новітніх нанокомпозитів на основі оксидних матеріалів. (Етап: Оптичні, магнітні та термоелектричні властивості новітніх нанокомпозитів на основі оксидних матеріалів). Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича Національної академії наук України. № 0225U001749