Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 6
НДДКР ОК
Розробка технології виготовлення та випробування багатоелементних фотоприймачів на основі антимоніду індію та створення технологічної лінійки для дрібносерійного виробництва ІЧ-пристроїв спецпризначення (шифр: IФН-2022/2)
1
Керівник: Романюк Борис Миколайович. Розробка технології виготовлення та випробування багатоелементних фотоприймачів на основі антимоніду індію та створення технологічної лінійки для дрібносерійного виробництва ІЧ-пристроїв спецпризначення (шифр: IФН-2022/2). (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0223U002373
НДДКР ОК
Теоретичні дослідження електричних, оптичних, магнітних та акустичних властивостей нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів на їх основі
Керівник: Кочелап В'ячеслав Олександрович. Теоретичні дослідження електричних, оптичних, магнітних та акустичних властивостей нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів на їх основі. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0221U103017
НДДКР ОК
Розробка нових методів формування функціональних напівпровідникових матеріалів і приладових структур
23
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка нових методів формування функціональних напівпровідникових матеріалів і приладових структур. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0221U102896
НДДКР РК
Теоретичні дослідження електричних, оптичних, магнітних та акустичних властивостей нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів на їх основі
Керівник: Кочелап В'ячеслав Олександрович. Теоретичні дослідження електричних, оптичних, магнітних та акустичних властивостей нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів на їх основі. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0116U004831
НДДКР ОК
Приладово-націлені дослідження та демонстрація технологій для високошвидкісних та малопотужних транзисторів, створених на основі нанодротів
Керівник: Кочелап Вячеслав Олександрович. Приладово-націлені дослідження та демонстрація технологій для високошвидкісних та малопотужних транзисторів, створених на основі нанодротів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U001084
НДДКР ОК
Приладово-націлені дослідження та демонстрація технологій для високошвидкісних та малопотужних транзисторів, створених на основі нанодротів
Керівник: Кочелап Вячеслав Олександрович. Приладово-націлені дослідження та демонстрація технологій для високошвидкісних та малопотужних транзисторів, створених на основі нанодротів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U004816
Знайдено документів: 6

Оновлено: 2026-10-21


Роздрукувати цю сторінку