Реєстраційний номер
0213U004816,
0113U006010
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Приладово-націлені дослідження та демонстрація технологій для високошвидкісних та малопотужних транзисторів, створених на основі нанодротів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кочелап Вячеслав Олександрович,
Дата реєстрації
26-12-2013
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
При виконанні етапу було проведено вивчення високопольового електронного транспорту в тестових структурах з нанодротами на основі AlGaN/GaN гетероструктур. Були запропоновані теоретичні моделі розрахунку потенціальних профілів і електронних транспортних властивостей досліджуваних нанодротових структур. Для аналізу ефектів переносу носіїв в реальному просторі в нанодротах, що реалізуються в системах низько вимірних електронів між дельта-легованими бар'єрами, запропоновано дві моделі, що відповідають випадкам помірного та сильного легування бар'єрів. Для обох моделей враховується розігрів носіїв електричним полем та електростатичні ефекти, що виникають при переносі носіїв в просторі. Обидві моделі адаптовані для якісного та кількісного пояснення експериментальних результатів. Групою німецьких партнерів виготовлені зразки GaN-нанодротів різної товщини та довжини. Дроти виготовлялись з AlGaN/GaN гетеро структури, в якій електрони формували двовимірний газ на інтерфейсі. Визначені параметри цього газу. Вимірювалась вольт-амперна характеристика. Спостережувальна неомічность та супер-лінійність струмів пов'язувалась з ефектами обмеження електронного транспорту об'ємним зарядом.
Опис продукції
При виконанні роботи було проведено вивчення високопольового електронного транспорту в тестових структурах з нанодротами на основі AlGaN/GaN гетероструктур. Були запропоновані теоретичні моделі розрахунку потенціальних профілів і електронних транспортних властивостей досліджуваних нанодротових структур. Для аналізу ефектів переносу носіїв в реальному просторі в нанодротах, що реалізуються в системах низько вимірних електронів між дельта-легованими бар'єрами, запропоновано дві моделі, що відповідають випадкам помірного та сильного легування бар'єрів. Для обох моделей враховується розігрів носіїв електричним полем та електростатичні ефекти, що виникають при переносі носіїв в просторі. Обидві моделі адаптовані для якісного та кількісного пояснення експериментальних результатів. Групою німецьких партнерів виготовлені зразки GaN-нанодротів різної товщини та довжини. Дроти виготовлялись з AlGaN/GaN гетеро структури, в якій електрони формували двовимірний газ на інтерфейсі. Визначені параметри цього газу. Вим
Автори роботи
А. В. Наумов
В.В. Коротєєв
О. Є. Бєляєв
Ю. М. Лящук
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
