Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U004816, 0113U006010 , Науково-дослідна робота Назва роботи Приладово-націлені дослідження та демонстрація технологій для високошвидкісних та малопотужних транзисторів, створених на основі нанодротів Назва етапу роботи Керівник роботи Кочелап Вячеслав Олександрович, Дата реєстрації 26-12-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу При виконанні етапу було проведено вивчення високопольового електронного транспорту в тестових структурах з нанодротами на основі AlGaN/GaN гетероструктур. Були запропоновані теоретичні моделі розрахунку потенціальних профілів і електронних транспортних властивостей досліджуваних нанодротових структур. Для аналізу ефектів переносу носіїв в реальному просторі в нанодротах, що реалізуються в системах низько вимірних електронів між дельта-легованими бар'єрами, запропоновано дві моделі, що відповідають випадкам помірного та сильного легування бар'єрів. Для обох моделей враховується розігрів носіїв електричним полем та електростатичні ефекти, що виникають при переносі носіїв в просторі. Обидві моделі адаптовані для якісного та кількісного пояснення експериментальних результатів. Групою німецьких партнерів виготовлені зразки GaN-нанодротів різної товщини та довжини. Дроти виготовлялись з AlGaN/GaN гетеро структури, в якій електрони формували двовимірний газ на інтерфейсі. Визначені параметри цього газу. Вимірювалась вольт-амперна характеристика. Спостережувальна неомічность та супер-лінійність струмів пов'язувалась з ефектами обмеження електронного транспорту об'ємним зарядом. Опис продукції При виконанні роботи було проведено вивчення високопольового електронного транспорту в тестових структурах з нанодротами на основі AlGaN/GaN гетероструктур. Були запропоновані теоретичні моделі розрахунку потенціальних профілів і електронних транспортних властивостей досліджуваних нанодротових структур. Для аналізу ефектів переносу носіїв в реальному просторі в нанодротах, що реалізуються в системах низько вимірних електронів між дельта-легованими бар'єрами, запропоновано дві моделі, що відповідають випадкам помірного та сильного легування бар'єрів. Для обох моделей враховується розігрів носіїв електричним полем та електростатичні ефекти, що виникають при переносі носіїв в просторі. Обидві моделі адаптовані для якісного та кількісного пояснення експериментальних результатів. Групою німецьких партнерів виготовлені зразки GaN-нанодротів різної товщини та довжини. Дроти виготовлялись з AlGaN/GaN гетеро структури, в якій електрони формували двовимірний газ на інтерфейсі. Визначені параметри цього газу. Вим Автори роботи А. В. Наумов В.В. Коротєєв О. Є. Бєляєв Ю. М. Лящук Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити