Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 27
НДДКР РК
Доробка системи вимірювань робочого місця газодинамічних модельних випробувань та виготовлення датчиків тиску
Керівник: Швирст Олег Іванович. Доробка системи вимірювань робочого місця газодинамічних модельних випробувань та виготовлення датчиків тиску. Державне підприємство "Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом Інституту фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України". № 0118U100614
НДДКР ОК
Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U005168
НДДКР ОК
Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U005167
НДДКР РК
Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0117U004049
НДДКР ОК
Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U001911
НДДКР РК
Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0116U002905
НДДКР ОК
Розроблення і створення електронних сенсорів тиску і приладів для моніторингу технологічних процесів
Керівник: Козловський Сергій Іванович. Розроблення і створення електронних сенсорів тиску і приладів для моніторингу технологічних процесів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U007278
НДДКР ОК
Розроблення та створення еталонних засобів для метрологічного забезпечення напівпровідникової фотоенергетики
Керівник: Костильов В.П., Романюк Б.М.. Розроблення та створення еталонних засобів для метрологічного забезпечення напівпровідникової фотоенергетики. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U003287
НДДКР ОК
Розроблення і створення високоефективних фотосенсорів і фотоперетворювачів для геліоенергетичних установок
Керівник: Костильов В.П., Романюк Б.М.. Розроблення і створення високоефективних фотосенсорів і фотоперетворювачів для геліоенергетичних установок. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U003285
НДДКР РК
Розроблення та створення еталонних засобів для метрологічного забезпечення напівпровідникової фотоенергетики
Керівник: Костильов Віталій Петрович, Романюк Борис Миколайович. Розроблення та створення еталонних засобів для метрологічного забезпечення напівпровідникової фотоенергетики. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0108U002420
Знайдено документів: 27

Оновлено: 2026-11-04


Роздрукувати цю сторінку