Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0216U001911, 0116U002905 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301 Назва етапу роботи Керівник роботи Кладько Василь Петрович, Дата реєстрації 06-06-2016 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено два базових технологічних процеси (для планарного та меза типу)виготовлення фотодіодів. Для цих процесів розроблені деталізовані технологічні маршрути, виготовлені фотошаблони та прописані всі технологічні операції виготовлення фотоприймачів. Отримані експериментальні зразки ФЧЕ-2. Опис продукції Два базових технологічних процеси (для планарного та меза типу)виготовлення фотодіодів. Деталізовані технологічні маршрути, виготовлені фотошаблони та прописані всі технологічні операції виготовлення фотоприймачів. Отримані експериментальні зразки ФЧЕ-2. Автори роботи Єшан В.М. Бєляєв О.Є. Велігура Л.І. Гвоздянчук І.І. Голтвянський Ю.В. Григорук О.В. Гудименко О.Й. Дверніков Б.Ф. Дубіковський О.В. Калістий Г.В. Капшученко Н.М. Космін А.С. Кривий С.Б. Максименко З.В. Матвієнко Л.М. Мельник В.П. Михайленко В.М. Оберемок О.С. Педченко Ю.М. Романюк Б.М. Рюхтін В.В. Сабов Т.М. Сапон С.В. Сафрюк Н.В. Смолій М.І. Стадник О.А. Федулов В.В. Шаран М.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U001911
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку