Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0100U000112, ( 0203U000017  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електронних процесів на межах поділу тонкоплівкових гетероструктур на основі матеріалів IV групи у широкому діапазоні температур і під дією зовнішніх впливів Керівник роботи Лисенко В.С., Назаров О.М., Дата реєстрації 17-03-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи проведення комплексних експериментальних та теоретичних досліджень електронних процесів в широкому діапазоні температур (4 - 700 К ) і під дією різних зовнішніх впливів на межах поділу і в тонких напівпровідникових та діелектричних шарах гетероструктур на базі найбільш поширених і перспективних на сучасному рівні розвитку електронної техніки напівпровідникових матеріалів IV групи (Si, SiC), побудова на основі отриманих фундаментальних результатів фізичних моделей роботи напівпровідникових приладів, працюючих в екстремальних умовах, і розвитку технологічних принципів виготовлення таких гетероструктур. Додано в НРАТ 2024-12-13 Закрити