Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0100U000149, ( 0203U000015  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Комплексні дослідження формування та еволюції дефектних структур технічно важливих напівпровідникових матеріалів (Ge, Si, SiC, сполук А2В6, А3В5), систем на їх основі в залежності від умов одержання і впливу технологічних факторів Керівник роботи Мачулін Володимир Федорович, Прокопенко Ігор Васильович, Дата реєстрації 17-03-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Комплексне дослідження рентгенодифракційними методами впливу умов вирощування та зовнішніх факторів на формування та еволюцію реальної дефектної структури технічно важливих напівпровідникових матеріалів і епітаксійних систем на їх основі Додано в НРАТ 2024-12-13 Закрити
НДДКР РК
Комплексні дослідження формування та еволюції дефектних структур технічно важливих напівпровідникових матеріалів (Ge, Si, SiC, сполук А2В6, А3В5), систем на їх основі в залежності від умов одержання і впливу технологічних факторів
Керівник: Мачулін Володимир Федорович, Прокопенко Ігор Васильович. Комплексні дослідження формування та еволюції дефектних структур технічно важливих напівпровідникових матеріалів (Ge, Si, SiC, сполук А2В6, А3В5), систем на їх основі в залежності від умов одержання і впливу технологічних факторів. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0100U000149
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку