Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0100U004014, Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електрофізичних параметрів та структурної досконалості монокристалів Si , вирощених методом БЗП за допомогою установки, призначеної для лабораторно-моделюючих випробувань. Керівник роботи Баранський Петро Іванович, Дата реєстрації 08-09-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Дослідження транспортних явищ і структурної досконалості в кристалах Si , вирощених методом безтигельної зонної плавки в різних технологічних режимах. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити
НДДКР РК
Дослідження електрофізичних параметрів та структурної досконалості монокристалів Si , вирощених методом БЗП за допомогою установки, призначеної для лабораторно-моделюючих випробувань.
Керівник: Баранський Петро Іванович. Дослідження електрофізичних параметрів та структурної досконалості монокристалів Si , вирощених методом БЗП за допомогою установки, призначеної для лабораторно-моделюючих випробувань.. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0100U004014
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку