Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0100U004220, ( 0204U000285  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-технологічних основ створення фоточутливих наноструктур в системі напівпровідникових сполук А2В6, А3В5, А4В6. Керівник роботи Сизов Ф.Ф., Дата реєстрації 28-09-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою НДР є розробка фізичних основ технології виготовлення квантоворозмірних структур А3В5 та багатошарових структур на основі CdxHgx-1Te з наношарами, дослідження та оптимізація їх фізичних властивостей та дослідження основних параметрів багатоелементинх гібридних фотоприймачів ІЧ-діапазону з граничними характеристиками. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити