Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0100U006651, ( 0201U005259  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне моделювання та розробка технології створення високоенергетичних каскадних фотоелектричних елементів на основі багатошарових гетероструктур GaAs та його твердих розчинів Керівник роботи Торчинська Т.В., Дата реєстрації 29-12-2000 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою проекту є моделювання та розробка промислової технології створення радіаційно-стійких та високоенергетичних багатошарових каскадних фотоелементів на базі гетеросистем AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs/GaAs та InGaP/GaAs для створення на їх основі нового покоління оптоелектронних пар, фотоелектричних батарей та сонячних енергостанцій. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити
НДДКР РК
Теоретичне моделювання та розробка технології створення високоенергетичних каскадних фотоелектричних елементів на основі багатошарових гетероструктур GaAs та його твердих розчинів
Керівник: Торчинська Т.В.. Теоретичне моделювання та розробка технології створення високоенергетичних каскадних фотоелектричних елементів на основі багатошарових гетероструктур GaAs та його твердих розчинів. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0100U006651
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку