Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0101U006116, Науково-дослідна робота Назва роботи Радикало-променева гетеруюча епітаксія - новий метод в технології напівпровідникових приладних структур на основі багатокомпонентних А3В5-сполук Керівник роботи Сукач Георгій Олексійович, Дата реєстрації 13-08-2001 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Розробка теоретичних основ та фізико-технологічних підходів для створення гетероепітаксійних структур на основі багатокомпонентних А3В5-сполук (типу GaAs/GaN та GaP/GaN), що можуть бути застосовані для реалізації приладів оптоелектроніки нового покоління. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Сукач Георгій Олексійович. Радикало-променева гетеруюча епітаксія - новий метод в технології напівпровідникових приладних структур на основі багатокомпонентних А3В5-сполук. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0101U006116
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15