Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0102U000045, ( 0204U006004  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Електричні та оптичні властивості наноструктур на основі SiGe Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 10-01-2002 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою даного проекту є: розвиток фізичних основ росту квантоворозмірних шарів і самоорганізованих SiGe наноструктур на Si в процесі молекулярно-променевої епітаксії. Створення квантових точок SiGe у SiO2 матриці методом іонної імплантації та термічного випаровування; - експериментальні і теоретичні дослідженні електронного і фононного енергетичного спектрів, дослідження оптичних властивостей структур із наноострівцями і квантовими точками Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити