Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0102U005422, ( 0205U006320  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка базової технології отримання іонно-імплантованих GaAs структур для мікроелектронних приладів. Керівник роботи Іжнін Ігор Іванович, Дата реєстрації 14-08-2002 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис роботи Розробка базової технології іонного легування арсеніду галію та отримання іонно-легованих структур для мікроелектронних приладів, апробація іонно-імплантованих структур для виготовлення на їх основі польових транзисторів, датчиків Холла, розробка КД та ТД на структури, підготовка серійного виробництва. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Іжнін Ігор Іванович. Розробка базової технології отримання іонно-імплантованих GaAs структур для мікроелектронних приладів.. Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0102U005422
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16