Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0103U000381, ( 0205U006862  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Електрофізичні дослідження тонкоплівкових багатошарових структур на основі широкозонних матеріалів SiC і SiO2 Керівник роботи Лисенко В.С., Назаров О.М., Дата реєстрації 03-02-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Проведення комплексних експериментальних досліджень у широкому діапазоні температур (4,2-600К) і під дією різних зовнішних впливів процесів струмопереносу та захоплення заряду в гетеросистемах SiO2-Si, Si-SiO2-Si та SiC-Si з нанокластерними включеннями в широкозонних частинах системи і побудова на основі отриманих дезультатів фізичних моделей работи мікроелектронних і оптоелектронних приладів Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити