Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0104U010541, ( 0209U006913  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток методу молекулярно-променевої епітаксії та опрацювання технології отримання нанорозмірних шарів та наноструктур SiGe Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 13-05-2004 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Мета роботи полягає у встановленні взаємозв'язку технологічних режимів епітаксійного формування SiGe наноструктур з їх структурними, оптичними та електричними характеристиками, виробленню рекомендацій по технології одержання структур та апробації цієї технології на дослідних зразках SiGe квантових структур. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Валах Михайло Якович. Розвиток методу молекулярно-променевої епітаксії та опрацювання технології отримання нанорозмірних шарів та наноструктур SiGe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0104U010541
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15