Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0104U010879, Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичні та експериментальні дослідження методом скануючої зондової мікроскопії атомарної структури тонких шарів оксидів, які є елементами прикладних структур. Розробка та оптимізація методів імплантації низькоенергетичних іонів Si+ в структуру нанотонких термічних оксидів SіO2 на підкладках з монокристалічного кремнію. Керівник роботи Бердар Микола Миколайович, Дата реєстрації 23-12-2004 Організація виконавець ДП НВП "Елісат" Опис роботи Головною метою даної роботи є розробка зондових (АСМ - атомна силова мікроскопія, СТМ - скануюча тунельна мікроскопія) методів направленого формування електричних якостей напівпровідникових наноструктур для формування під зондом цих приладів напівпровідникових наноструктур прикладного значення з наперед заданими електричними властивостями. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити
НДДКР РК
Теоретичні та експериментальні дослідження методом скануючої зондової мікроскопії атомарної структури тонких шарів оксидів, які є елементами прикладних структур. Розробка та оптимізація методів імплантації низькоенергетичних іонів Si+ в структуру нанотонких термічних оксидів SіO2 на підкладках з монокристалічного кремнію.
Керівник: Бердар Микола Миколайович. Теоретичні та експериментальні дослідження методом скануючої зондової мікроскопії атомарної структури тонких шарів оксидів, які є елементами прикладних структур. Розробка та оптимізація методів імплантації низькоенергетичних іонів Si+ в структуру нанотонких термічних оксидів SіO2 на підкладках з монокристалічного кремнію.. ДП НВП "Елісат". № 0104U010879
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку