Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0105U003752, ( 0207U000840  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження процесів низькотемпературного формування плівок SiC з нанорозмірними елементами на основі композиційного розупорядкування в умовах осадження іонів низької енергії Керівник роботи Пузіков Вячеслав Михайлович, Дата реєстрації 08-06-2005 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис роботи Вивчити закономірності формування струкрури та фазового складу SiC плівок в умовах осадження іонів вуглицю та кремнію в залежності від енергії іонів і температури підкладки. Провести дослідження структури та дефектних станів в аморфних та наноструктурних плівках SiC. Вивчити умови виникнення локалізованих станів. Вивчити енергетичний спектр даних станів та ймовірністьелектронних переходів з їх участю. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити