Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0106U005547, Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології отримання гетероструктур InP-InGaAs, виготовлення на їх основі напівпровідникового лазера з довжиною хвилі 900 нм Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 24-05-2006 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон" Опис роботи Розробка гетероструктур InP-InGaAs та напівпровідникових інжекційних лазерів на їх основі з довжиною хвилі генерації в діапазоні 900-1060 нм. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити