Знайдено документів: 1
Реєстраційний номер

0106U006767, ( 0209U002129  ) Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі і гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління

Керівник роботи

Сизов Федір Федорович,

Дата реєстрації

07-07-2006

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис роботи

Встановлення механізмів формування p-n переходів на основі епітаксійних структур кадмій-ртуть-телур (КРТ) і дослідження в них процесів переносу заряду і дослідження процесів зчитування інформації на основі великих інтегральних схем (ВІС) прикріогенних температурах.

Додано в НРАТ

2024-12-10

НДДКР РК
Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі і гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління
Керівник: Сизов Федір Федорович. Розробка фізичних принципів і технології створення ІЧ приймачів на основі і гетероструктур кадмій-ртуть-телур та діагностичних систем нового покоління. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0106U006767
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2025-06-01


Роздрукувати цю сторінку