Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0106U013107, ( 0208U005654  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток діелектричних систем для затворів на основі подвійних та потрійних оксидів металів з еквівалентною товщиною меншою ніж 1,0 нм для МОС технології і методи аналізу електричних характеристик Керівник роботи Смертенко Петро Семенович, Дата реєстрації 26-12-2006 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Мета цього проекту полягає в розробці нових теоретичних та експериментальних методів, які дозволять адекватно виявити різні механізми струмів витоку в експериментальних J-V характеристиках структур метал-діелектрик-метал (МДМ) та метал-окис-напівпровідник (МОН) на основі термічно стійких діелектричних шарів з низькими ефективними окисними товщина ми (EOT) (менше ніж 1.0 нм) та плотністю струмів витоку. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити