Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0107U000693, ( 0210U001454  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних явищ у напівпровідникових сполуках під впливом джерел короткохвильового випромінювання ультрафіолетового діапазону і його детектуванні Керівник роботи Катрич Віктор Олександрович, Білецький Микола Іванович, Дата реєстрації 06-02-2007 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис роботи Мета проекту: -виявити нові властивості джерел короткохвильового випромінювання, включаючи УФ; -визначити клас і основні параметри напівпровідникових сполук, на основі яких можна створити детектори УФ випромінювання, їх властивості і робочий діапазон під дією випромінювання; -провести дослідження вимог до електричних характеристик матеріалів, які б мінімізували втрати випромінювання, що падає на діод, і забезпечували максимальне поглинання випромінювання в активній області діодної структури; - дослідити процеси збирання носіїв заряду, які згенеровані випромінюванням в діодах Шоттки і гетероструктурах на основі ZnSe, CdTe, ZnS, з урахуванням механізмів протікання струму через структури; - визначити технологічні вимоги по створенню діодів Шоттки на основі напівпровідників А2В6 і їх сполук, які є основою детекторів УФ випромінювання; - провести теоретичні і експериментальні дослідження характеристик діодів Шоттки і гетероструктур в залежності від типу металевого контакту (Ni, Pt, Cu, Pd) і бар'єру на ньому Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити