Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0107U005749, ( 0208U000316  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології отримання тонких плівок SiC та створення на їх основі мікро-електромеханічних структур та світловипромінюючих приладів Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 04-07-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою роботи є розробка технології для формування світловипромінюючих структур на основі Si з використанням плівок аморфного гідрогенізованого і негідрогенізованого карбіду кремнію і дослідження можливості використання таких матеріалів у якості активних елементів при створенні мікроелектромеханічних (МЕМС) систем Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Лисенко Володимир Сергійович. Розробка технології отримання тонких плівок SiC та створення на їх основі мікро-електромеханічних структур та світловипромінюючих приладів. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0107U005749
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16