Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0107U007214, ( 0208U010193  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні дослідження та розробка технологічних основ високоефективних діодів міліметрового та субміліметрового діапазонів на базі n -n-n тa n -i-n епітаксіальних гетероструктур, виготовлених з новітніх широкозонних матеріалів. Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 26-07-2007 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою проекту є розвиток фізики та технологій генерації міліметровго та субміліметрового випромінювання на основі напівпровідникових наноструктур групи ІІІ-нітридів (GaN, AlGaN), що мають велику заборонену енергетичну зону (3,4-6,0 еВ). Такі матеріали можуть забезпечити цілу низку позитивних відмінностей (працездатність при високих температурах (більше 300К), сильних електричних полях (до сотен кВ/см), складних радіаційних умовах), що не можуть бути досягнуті в засобах високочастотної генерації, що використовують традиційні матеріали. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити