Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0108U001097, ( 0209U010740  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Технологічні аспекти створення "штучних" підкладок для епітаксії приладових структур на основі GaAs. Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 29-01-2008 Організація виконавець Херсонський національний технічний університет Опис роботи Подальший розвиток фізичних уявлень про механізми кристалізації перехідних шарів у напівпровідникових гетероепітаксійних системах із відносно великими розбіжностями кристалохімічних параметрів (GaAs/Si, GaAs/GeХSi1-Х/Si) при рідкофазній епітаксії, встановлення впливу технологічних режимів отримання на морфологічні і структурні параметри ПГ та розробка технологічних підходів для створення "штучних" підкладок на основі Si для епітаксії приладових структур а основі GaAs. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Шутов Станіслав Вікторович. Технологічні аспекти створення "штучних" підкладок для епітаксії приладових структур на основі GaAs.. Херсонський національний технічний університет. № 0108U001097
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14