Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0108U003666, ( 0210U000318  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка високороздільних халькогенідних фоторезистів та їх застосування в фотоелектроніці Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-06-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою роботи є проведення комплексу робіт по дослідженню та розробці неорганічних резистів на основі халькогенідних скловидних напівпровідників та технології застосування їх для фото- і лазерної літографії (включаючи імерсійну літографію), виготовлення високочастотних фотонних структур, голографічних дифракційних елементів Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити