Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0108U004820, ( 0213U005116  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Створення принципово нових матеріалів , у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки, в тому числі заходів: розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів; розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партіїї сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гама-квантів; розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем Керівник роботи Толмачов Олександр Володимирович, Дата реєстрації 20-05-2008 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис роботи Розробка технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання та одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Розроблення іоно-плазмової технології одержання кристалічних плівок SiC на кремнієвих і сапфірових підкладках для створення фотоперетворюючих приладів авіаційної і атомної промисловості Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Створення принципово нових матеріалів , у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки, в тому числі заходів: розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів; розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партіїї сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гама-квантів; розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем
Керівник: Толмачов Олександр Володимирович. Створення принципово нових матеріалів , у тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки, в тому числі заходів: розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла видимого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів; розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партіїї сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гама-квантів; розроблення технології отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем. Інститут монокристалів НАН України. № 0108U004820
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку