Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0108U009663, ( 0212U006258  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології одержання шарів SiGe та Si методом піролітичного осадження при низькому тиску (LP CVD) для створення надвисокочастотних структур та інтегральних схем на основі кремнію Керівник роботи Сидоренко Володимир Павлович, Дата реєстрації 29-10-2008 Організація виконавець Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис роботи Розроблення ескізної технології одержання шарів SiGe та Si методом піролітичного осадження при низькому тиску (LP CVD). Вибір технології виготовлення НВЧ елементів і інтегральних схем. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити