Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0108U010726, ( 0208U004851  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Нанокомпозитні тонкі плівки в металізації напівпровідникових приладів на основі нітриду галію та карбіду кремнію для високопотужної електроніки Керівник роботи Кучук Андріан Володимирович, Дата реєстрації 17-12-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Мета роботи - визначення меж та перспектив використання розроблених схем електричних контактів, для металізації напівпровідникових приладів на основі нітриду галію та карбіду кремнію в високо - потужній, - температурній електроніці. Основні результати - (а)проведено дослідження електричних властивостей, мікроструктури та термостабільності контактів на основі Au,-Pd до GaN та Ni-,Si до SiC, (б) синтезовано та проведено комплексне дослідження дифузійних бар'єрів на основі нанокомпозитних тонких плівок Ta(Ti)-Si-N (товщина < 100 нм), (в) розроблено надійні, термічно стабільні Омічні контакти до GaN та SiC, на основі нанокомпозитних Ta(Ti)-Si-N дифузійних бар'єрів з монтажною плівкою Au. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити