Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0109U000579, ( 0211U000410  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив дефектів технологічного і радіаційного походження на фізичні властивості деяких халькогенідних напівпровідників Керівник роботи Давидюк Георгій Євлампійович, Дата реєстрації 20-02-2009 Організація виконавець Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки Опис роботи Метою дослідження є вивчення спектрального розподілу фотопровідності, фотолюмінесценції, оптичного гашення фотопровідності та краю поглинання не опромінених та опромінених нейтронами монокристалів CdS, а також аналогічних параметрів монокристалів AgCd2GaS4 та їх взаємозв’язок. Дослдіження радіаційних дефектів в напівпровідниках групи AIIBVI і їх електронних аналогів для подальшого створення радіаційно стійкого матеріалу з наперед прогнозованими властивостями для електронної, оптоелектронної техніки та нелінійної оптики. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити