Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0109U005927, ( 0211U002296  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Нанорозмірна кластеризація в AlInGaN епітаксійних шарах і гетероструктурах для світловипромінюючих приладів і фотоелектричних перетворювачів. Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 23-11-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи В проекті будуть встановлені фізичні причини утворення нанокластерів в AlInGaN, розроблені методи керування процесами кластеризації варіюючи технологічні параметри (температура, товщина) та методи вирощування (MOVPE, MBE, HVPE). Використання різних підкладок і кристалографічних орієнтацій дозволить керувати структурною досконалістю і деформаційними полями в AlInGaN (Si - розтяг, Al2O3 - стиск, LiAlO2 - неполярна площина росту). Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити