Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0110U003974, ( 0211U004838  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот, етап 1.Оптимізація технології формування наноструктурованих високоомних покриттів з карбіду кремнію товщиною 1-3 мкм на поверхні кремнію та комплексні дослідження фізико-хімічних характеристик гетероструктур наноструктурований карбід кремнія - кремній високоомний (500-1000 Ом см) Керівник роботи Пузіков Вячеслав Михайлович, Дата реєстрації 27-12-2010 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис роботи Розроблення фізико-технологічних основ технологій формування на основі високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію захисних покриттів на поверхні меза -структури потужних кремнієвих високовольтних НВЧ pin діодів з метою забезпечення їх високої надійності Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Пузіков Вячеслав Михайлович. Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот, етап 1.Оптимізація технології формування наноструктурованих високоомних покриттів з карбіду кремнію товщиною 1-3 мкм на поверхні кремнію та комплексні дослідження фізико-хімічних характеристик гетероструктур наноструктурований карбід кремнія - кремній високоомний (500-1000 Ом см). Інститут монокристалів НАН України. № 0110U003974
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18