Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0110U004253, Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізичних основ технології отримання гетероструктур на основі арсенід-галієвих матеріалів методом МОС-гідридної епітаксії для отримання фотовольтаічних елементів з високим ККД Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 31-05-2011 Організація виконавець Львівська філія науково-виробничого концерну "Наука" Опис роботи Розроблення фізичних основ технології виготовлення каскадних гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaP з варізонним активним шаром для фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити