Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0110U006080, ( 0213U000127  0213U000128  0213U000129  0214U006849  0215U007197  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка пристроїв оптоелектроніки на багатошарових епітаксійних наноструктурах сполук SiGe, їх оксидів та рідкоземельних елементів Керівник роботи Козирев Ю.М., Дата реєстрації 04-07-2012 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис роботи розроблення технології виготовлення конкурентноспроможних наноструктурних систем для ефективних фотоперетворювачів та елементів пам'яті на основі епітаксійних структур Ge на Si та SiOx та систем з ізовалентними домішками рідкісноземельних елементів Er (Gd) Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити