Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0110U006276, ( 0211U001065  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 13-10-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами
Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0110U006276
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку