Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0110U006589, Науково-дослідна робота Назва роботи Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AlN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці Керівник роботи Перекрестов Вячеслав Іванович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 11-11-2010 Організація виконавець Сумський державний університет Опис роботи Фундаментальною метою проекту є дослідження і розробка нового технологічного напрямку формування низькорозмірних напівпровідникових систем на основі SiC і AlN, основаного на квазірівноважній стаціонарній конденсації в накопичувальних іонно-плазмових системах. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити