Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0110U007028, Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц Керівник роботи Березюк Федір Борисович, Дата реєстрації 10-11-2010 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис роботи Розроблення фізико-технологічних основ і технології формування багатошарових контактних систем з наноструктурованими антидифузійними бар'єрами, розробка базової конструкції активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц
Керівник: Березюк Федір Борисович. Розроблення техпроцесів формування омічних контактних систем з антидифузійними бар'єрами та базової конструкції чіпів активних елементів на основі епітаксійних структур GaN n+-n-n+ типу для діапазону частот 90-110 ГГц. Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон". № 0110U007028
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17


Роздрукувати цю сторінку