Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0110U007373, Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології виготовлення p-i-n структур на основі Si для надпотужних високовольтних діодів Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 21-12-2010 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон" Опис роботи Метою науково-дослідної дослідно-технологічної роботи є розроблення технології виготовлення p-i-n структур на основі Si для надпотужних високовольтних (1000-2000 В) діодів. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити