Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0111U002161, ( 0216U005850  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив дефектів радіаційної природи на фізичні властивості елементарних напівпровідників та композитних наноструктур (Si-Ge, AlGaN/GaN, вуглецеві нанотрубки). Керівник роботи Данильченко Борис Олександрович, Дата реєстрації 07-02-2011 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис роботи Виконання фундаментальних досліджень радіаційних ефектів в перспективних матеріалах сучасної наноелектроніки з метою розширення меж застосування приладів на їх основі. Поруч з широко відомими елементарними напівпровідниками, такими як кремній та сплави кремнію з германієм, коло досліджень охоплює новий клас нітридних сполук та вуглецевих нанотрубок. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Вплив дефектів радіаційної природи на фізичні властивості елементарних напівпровідників та композитних наноструктур (Si-Ge, AlGaN/GaN, вуглецеві нанотрубки).
Керівник: Данильченко Борис Олександрович. Вплив дефектів радіаційної природи на фізичні властивості елементарних напівпровідників та композитних наноструктур (Si-Ge, AlGaN/GaN, вуглецеві нанотрубки).. Інститут фізики НАН України. № 0111U002161
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку