Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0112U001192, ( 0217U004593  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-хімічні основи дизайну чутливих до видимого світла фотовольтаїчних та фотохімічних систем на основі композитів напівпровідників з метал-халькогенідними квантовими точками, наокристалами металів та похідними графену Керівник роботи Кучмій Степан Ярославович, Дата реєстрації 27-01-2012 Організація виконавець Інститут фізичної хімії ім. Л.В.Писаржевського НАН України Опис роботи Розробка підходів до формування плівкових наногеноструктур на основі оксидних напівпровідників, модифікованих кисневмісними похідними графену та наокристалами халькогенідних металів і металів (Рt, Рd, Au, Ag) для створення чутливих до видимого світла елементів фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії та фотоелектрохімічних систем для проведення ендотермічних процесів Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Кучмій Степан Ярославович. Фізико-хімічні основи дизайну чутливих до видимого світла фотовольтаїчних та фотохімічних систем на основі композитів напівпровідників з метал-халькогенідними квантовими точками, наокристалами металів та похідними графену. Інститут фізичної хімії ім. Л.В.Писаржевського НАН України. № 0112U001192
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18