Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0112U005307, ( 0214U001195  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Застосування базових технологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур з нанорозмірними елементами на основі твердих розчинів А3В5 для фотоелектронних приладів на установці MOCVD D-180GaN Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 04-07-2012 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис роботи Адаптація базових технологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур InGaN/GaN з нанорозмірними елементами для виготовлення світлодіодних структур на установці MOCVD D-180GaN. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Застосування базових технологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур з нанорозмірними елементами на основі твердих розчинів А3В5 для фотоелектронних приладів на установці MOCVD D-180GaN
Керівник: Круковський Семен Іванович. Застосування базових технологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур з нанорозмірними елементами на основі твердих розчинів А3В5 для фотоелектронних приладів на установці MOCVD D-180GaN. Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0112U005307
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку