Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0112U007416, Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 15-11-2012 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис роботи Оптимізація технологічних режимів легування активної області та кристалізація твердих розчинів Inх1Ga1-х1N/Inх2Ga1-х2N з мінімальними флуктуаціями індію на гетерограницях, що в сукупності повинно забезпечити формування активної області світлодіодної структури з найменшим ступенем компенсації. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт. Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0112U007416
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку