Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0113U007068, Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 24-09-2013 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис роботи Оптимізація технологічних режимів кристалізації епітаксійних шарів p-GaN легованих магнієм які б в сукупності забезпечували формування світлодіодної структури AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 з якісними гетерограницями р-GaN/InGaN та досконалою морфологією поверхні. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення технологій виробництва гетероепітаксійних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт. Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0113U007068
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку