Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0114U001970, ( 0215U003443  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 03-06-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Основною метою роботи в 2014 році є розробка методології керованого формування перехідних шарів, гетерних областей, низькоомних контактів і покращення узгодження параметрів граток при іонно-променевій акусто-стимульованій імплантації сполук на основі нітридів. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 80 Лм/Вт. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0114U001970
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22