Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0115U004534, ( 0216U007050  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301 Керівник роботи Кладько Василь Петрович, Дата реєстрації 20-08-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Розробити технологічної виготовлення пасивуючих та захисних шарів для InSb підкладок. Розробка та оптимізація технологічних режимів отримання імплагтованих шарів в монокристалічних підкладках n-InSb із субмікронною глибиноюзалягання p-n переходу. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0115U004534
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21