Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0115U005549, Науково-дослідна робота Назва роботи НДР "Оксидні матеріали з високою діелектричною сталою, що містять нанокластери кремнію або германію, для застосування в мікроелектроніці та фотоніці" Керівник роботи Хоменкова Лариса Юріївна, Дата реєстрації 22-10-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Метою проекту є встановлення природи фізичних процесів, які відбуваються при термоактивованому розпаді Si(Ge)-HfO2 та Si(Ge)-Al2O3 твердих розчинів, з'ясування механізмів формування напівпровідникових нанокластерів та нанокристалів Si і Ge в оксидних матрицях з високою діелектричною сталою та визначення технологічних підходів для контролю за структурними, оптичними та електричними властивостями таких матеріалів для застосування в приладах мікро- і фото-електроніки. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити